1. Объявления

    Внимание

    Уважаемые пользователи! Сегодня ночью, в 1:30 по Московскому времени, в нашем дата-центре будут проводиться технические работы. Форум будет недоступен в течение 15-20 минут. Все другие наши проекты (Биржа, Истории, Статьи, ТВ, Дом, Академия) будут работать в полном объёме.

    Приносим извинения за неудобства.

    Скрыть объявление
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 10/10 10,00оценок: 1

MOSFET или IGBT?

Тема в разделе "Сварочные аппараты. Сварка", создана пользователем LeonidKam, 12.06.16.

  1. LeonidKam
    Регистрация:
    15.07.13
    Сообщения:
    986
    Благодарности:
    580

    LeonidKam

    Живу здесь

    LeonidKam

    Живу здесь

    Регистрация:
    15.07.13
    Сообщения:
    986
    Благодарности:
    580
    Адрес:
    Пермский край г.Нытва
    MOSFET или IGBT?
    В настоящее время в инверторных сварочных источниках используются мощные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
    В схемах управления применяются специализированные микроконтроллеры и микропроцессоры. Что выбрать? Инвертор, созданный «на» транзисторах изготовленных по технологии MOSFET или инвертор - «на» транзисторах изготовленных по технологии IGBT?

    Ответ на этот вопрос будет неоднозначный. Казалось-бы, инверторы с IGBT-транзисторами — это новое поколение инверторов, более прогрессивное, т. к. часто силовые транзисторы собираются в компактные силовые модули, что защищает силовые элементы от внешнего неблагоприятного воздействия пыли и влаги, делает схему аппарата более простой, габариты более компактными, а аппараты более удобными с точки зрения ремонта. Но всё это при условии грамотно составленной электрической принципиальной схемы, а также качественной сборки, когда на выходе такого инвертора мы сможем получать выходное напряжение с частотой до 200-300 кГц (как у инверторов, с MOSFET- транзисторами). Ведь как известно, чем выше частота выходного напряжения, тем лучше и стабильнее сварочный процесс, тем больше пульсация выходного напряжения будет приближаться к прямой выпрямленного тока и качество сварки будет, соответственно выше.
    Визуально аппараты, выполненные с IGBT-транзисторами отличаются от MOSFET-транзисторами вертикальным расположением силовых разъёмов (у MOSFET аппаратов выходы обычно расположены горизонтально), хотя, утверждать, что это на 100% верно, не стоит, т. к. из любого правила всегда найдутся исключения.
    Хотя конструктивно, в более современных инверторах IGBT-транзисторами для уменьшения габаритов и повышения надежности работы источников используются более новые типы малоиндуктивных электролитических конденсаторов, ферромагнитных материалов с малыми потерями на высоких частотах, а также специальные диоды с малым временем обратного восстановления и проч. Мы бы не стали так подходить к выбору сварочного аппарата, исходя лишь из технологии его изготовления, т. к. в связи со сказанным выше, это еще ни о чем не говорит, поэтому выбор за вами: будете Вы делать детальный анализ схем? Мы думаем, что это никому не нужно, Выбирайте сварочный инвертор по техническим характеристикам!
    Технологии изготовления инверторов стремительно меняются, поэтому, возможно и наша статья устареет, а выбор останется за Вами, ведь приобретете Вы аппарат не на один год. Сделайте правильный выбор!
    Конечно, сварочные аппараты с MOSFET-транзисторами и с IGBT-транзисторами - это разные поколения инверторов, но у каждой технологии свои потребители. Инверторы, изготовленные на базе MOSFET-транзисторов уже зарекомендовали себя как надежные сварочные источники, в особенности для сварки на малых токах с высокими сварочно-техническими характеристиками, а инверторы, с IGBT-транзисторами хоть и являются современными, но не имеют годами отработанных технологий.

    Источник: http://tdsvarka.ru/article/201/
     
    LeonidKam , 12.06.16
    #1 + Цитировать
  2. Gtk31
    Регистрация:
    05.09.14
    Сообщения:
    248
    Благодарности:
    280

    Gtk31

    Живу здесь

    Gtk31

    Живу здесь

    Регистрация:
    05.09.14
    Сообщения:
    248
    Благодарности:
    280
    Такая ерунда. :)
    Интересно у каких аппаратов частота 200-300 кГц? Сдается мне это ляп. Может какой-нибудь многофазник и имеет такую частоту на выходе, но транзисторы работают на меньших частотах.
    Также заинтересовала необходимость использования более крутых электролитических конденсаторов а igbt- инверторах. :)
    По идее потребитель должен смотреть только на характеристики товара, а не на его внутреннее устройство. Маркетологи пудрят мозги потребителям.
     
    Gtk31 , 12.06.16
    #2 + Цитировать
  3. aostspb
    Регистрация:
    31.08.11
    Сообщения:
    2.750
    Благодарности:
    1.061

    aostspb

    Живу здесь

    aostspb

    Живу здесь

    Регистрация:
    31.08.11
    Сообщения:
    2.750
    Благодарности:
    1.061
    Адрес:
    Санкт-Петербург
    Ответ как в анекдоте про очередь и огурцы: "Мне все равно - я их есть буду".

    Если Вы заказываете миксер бетона - то какая разница: дизельный двигатель у авто или бензиновый? :)
     
    aostspb , 15.06.16
    #3 + Цитировать
  4. Сергейб3
    Регистрация:
    14.09.11
    Сообщения:
    22.153
    Благодарности:
    24.910

    Сергейб3

    Модератор

    Сергейб3

    Модератор

    Регистрация:
    14.09.11
    Сообщения:
    22.153
    Благодарности:
    24.910
    Адрес:
    Россия, Белгород
    (MOSFET) или (IGBT)?
    Пока ответа на данный вопрос нет.
    И у одних и у других есть свои достоинства и свои недостатки.
    У MOSFET один недостаток, это малый ток. Именно из за этого их ставят в параллель, отчего и размеры.
     
    Сергейб3 , 15.06.16
    #4 + Цитировать
  5. LeonidKam
    Регистрация:
    15.07.13
    Сообщения:
    986
    Благодарности:
    580

    LeonidKam

    Живу здесь

    LeonidKam

    Живу здесь

    Регистрация:
    15.07.13
    Сообщения:
    986
    Благодарности:
    580
    Адрес:
    Пермский край г.Нытва
    А как же?
     
    LeonidKam , 15.06.16
    #5 + Цитировать
  6. Klez
    Регистрация:
    13.06.13
    Сообщения:
    6.577
    Благодарности:
    4.953

    Klez

    Шайтанама сварко и болгарко)))

    Klez

    Заблокирован

    Шайтанама сварко и болгарко)))

    Регистрация:
    13.06.13
    Сообщения:
    6.577
    Благодарности:
    4.953
    Адрес:
    Подольск
    Причём тут это?
    Имелось ввиду, ток на транзисторах.
     
    Klez , 27.06.16
    #6 + Цитировать
  7. LeonidKam
    Регистрация:
    15.07.13
    Сообщения:
    986
    Благодарности:
    580

    LeonidKam

    Живу здесь

    LeonidKam

    Живу здесь

    Регистрация:
    15.07.13
    Сообщения:
    986
    Благодарности:
    580
    Адрес:
    Пермский край г.Нытва
    Честно вырвано из контекста :aga:
     
    LeonidKam , 01.07.16
    #7 + Цитировать
  8. У-Кдачник
    Регистрация:
    04.09.15
    Сообщения:
    1.637
    Благодарности:
    2.462

    У-Кдачник

    Живу здесь

    У-Кдачник

    Живу здесь

    Регистрация:
    04.09.15
    Сообщения:
    1.637
    Благодарности:
    2.462
    Адрес:
    Челябинская обл.
    спасибо конечно, но я не специалист в электронике:|: просто логически покумекавши пришел к такому выводу, по тому как тепло рассеивается и отводится от кристаллов лучше, и большее количество ног сложнее сжечь:|: ну и еще личный опыт, рилон профи тиг 160 у меня отработал года 4, почти каждый день, в выходные частенько по 12-14 часов. приходилось только регулярно смазывать вентилятор, и продувать от пыли.
    да, еще в цехах у частников видел подобные сварочники, проработавшие по 5-6 лет в проф режиме без проблем. почему и выбрал на смену своему рилону аврору интер тиг 200 что есть тот же самый аппарат.
     
    Последнее редактирование: 08.07.16
    У-Кдачник , 08.07.16
    #8 + Цитировать
  9. Строительность
    Регистрация:
    08.07.16
    Сообщения:
    103
    Благодарности:
    46

    Строительность

    Живу здесь

    Строительность

    Заблокирован

    Живу здесь

    Регистрация:
    08.07.16
    Сообщения:
    103
    Благодарности:
    46
    Мосфиты отличаются от IGBT вот чем. Мосфиты - это обычные полевики. Чем бОльший ток они могут пропустить - тем больше нужна площадь кристалла. Чем выше рабочее напряжение - тем толще
    рабочий слой, упрощенно. При этом выходит, что чем более сильнотоковый транзистор - тем больше у него входная емкость. И сделать транз с очень большим кристаллом по площади много проблемней, чем несколько с меньшей, а потом параллелить. А открывать-закрывать надо быстро. А входная емкость - порядка нескольких тыс пикофарад. Какие, нафиг, 300 кгц? Посчитайте токи перезаряда,
    напряжение на затворе - до 15 вольт. Физика школьная. Зато напряжение насыщения у них - сотые доли вольта!
    Теперь вторые - IGBT - это обычный биполярный транзистор, а на входе стоит полевик. Входная емкость маленькая, быстродействие бешеное, но напряжение насыщения - порядка одного вольта.

    Сначала все делали на Мосфитах, с большими сердечниками и тд. Теперь делают на IGBT.
    Принципиально НЕТ НИ КАКОЙ РАЗНИЦЫ, кроме веса. У меня один на мосфитах сварочник, другой
    на IGBT. Старый, на Мосфитах, без каких то наворотов, работает уже лет семь, в самых ужасных условиях. Поновее - лучше работает от плохой сети. Но это - чисто схемные решения, ни как не связанные с транзисторами. Повторюсь - с транзисторами связан только вес сварочника.
     
    Строительность , 18.07.16
    #9 + Цитировать
  10. Gtk31
    Регистрация:
    05.09.14
    Сообщения:
    248
    Благодарности:
    280

    Gtk31

    Живу здесь

    Gtk31

    Живу здесь

    Регистрация:
    05.09.14
    Сообщения:
    248
    Благодарности:
    280
    @Строительность, пасибки за популярный ликбез. Я так понял, что вы в своем выступлении подвели аудиторию к выводу о том, что igbt более быстрые чем полевики? Реальность противоречит вашим словам. Полевые транзисторы работают на более высоких частотах. Только по статическим потерям проигрывают igbt, поэтому для снижения этих потерь их и "баянят".
    ЗЫ: речь конечно о высоковольтных мосфетах, у которых сопротивление канала относительно большое по сравнению со своими низковольтными собратьями.
    В любом случае решать, что лучше в конкретном инверторе не потребителю. Это задача разработчика по выбору лучшего решения компромиса между надежностью, массогабаритами, кпд и стоимости. Покупатель должен просто выбрать конкретное решение целиком, а не полагатся на магические буквы абравеатуры какой то "технологии".
     
    Последнее редактирование: 19.07.16
    Gtk31 , 19.07.16
    #10 + Цитировать
  11. Сергейб3
    Регистрация:
    14.09.11
    Сообщения:
    22.153
    Благодарности:
    24.910

    Сергейб3

    Модератор

    Сергейб3

    Модератор

    Регистрация:
    14.09.11
    Сообщения:
    22.153
    Благодарности:
    24.910
    Адрес:
    Россия, Белгород
    И более высоко частотных. :hndshk:
     
    Сергейб3 , 19.07.16
    #11 + Цитировать
  12. Строительность
    Регистрация:
    08.07.16
    Сообщения:
    103
    Благодарности:
    46

    Строительность

    Живу здесь

    Строительность

    Заблокирован

    Живу здесь

    Регистрация:
    08.07.16
    Сообщения:
    103
    Благодарности:
    46
    Мы говорим о сильноточных высоковольтных транзисторах. Это раз. Второе - попробуйте у Мосфита
    с входной емкостью в 5 нан организовать фронт в 20nS, а я посмотрю во что это выльется и как вы будете кувыркаться вокруг проходной емкости и тд...
    А в мобильниках да, там полевики часто. Но мобильником трудно варить... Сам не пробовал - по отзывам.
    И я специально КРУПНЫМИ и ГРОМКИМИ буквами написал, что можно сделать прекрасный сварочник даже на транзисторах от строчной развертки, были бы мозги. И транзисторы - совсем не повод в выборе аппарата. Читайте щетильнее..)
     
    Строительность , 20.07.16
    #12 + Цитировать
  13. Gtk31
    Регистрация:
    05.09.14
    Сообщения:
    248
    Благодарности:
    280

    Gtk31

    Живу здесь

    Gtk31

    Живу здесь

    Регистрация:
    05.09.14
    Сообщения:
    248
    Благодарности:
    280
    Какой фронт вам нужен? Драйвер с выходным током поболее и "невозможное возможно".
    Вот например довольно свежий мосфет: FCH072N60F
    Там в документе есть рисуночки с табличкой. Все написано по времени переключения. Зарядный ток в 2 ампера далеко не предел для современных драйверов. Проблема только во встроенном диоде, который драйвером быстрее не сделаешь.
    Для тех кто не хочет гонять порожняк, может зайти на сайт например этого производителя и посмотреть на транзисторы на одно напряжение, ток и в одном корпусе. https://www.fairchildsemi.com/index.html
    Вообще по буклетам сварочных инверторов можно заметить, что для IGBT наиболее часто упоминаемая частота 30 кГц. А для полевиков 100 кГц.
    Конечно при желании можно найти "вери фаст" IGBT работающий с током 30А аж до 50 Кгц, но у него напряжение насыщение побольше чем у менее шустрых IGBT. Живой пример другого производителя - STGB20NC60V
    Поэтому разработчики вынуждены искать наилучшее для себя решение. Благо что выбор есть.
     

    Вложения:

    Gtk31 , 20.07.16
    #13 + Цитировать
  14. aostspb
    Регистрация:
    31.08.11
    Сообщения:
    2.750
    Благодарности:
    1.061

    aostspb

    Живу здесь

    aostspb

    Живу здесь

    Регистрация:
    31.08.11
    Сообщения:
    2.750
    Благодарности:
    1.061
    Адрес:
    Санкт-Петербург
    Полевики - схемно проще параллелить и тогда ими можно даже варить. :)
     
    aostspb , 20.07.16
    #14 + Цитировать
  15. Строительность
    Регистрация:
    08.07.16
    Сообщения:
    103
    Благодарности:
    46

    Строительность

    Живу здесь

    Строительность

    Заблокирован

    Живу здесь

    Регистрация:
    08.07.16
    Сообщения:
    103
    Благодарности:
    46
    Понеслась душа по кочкам...) Предлагаю тормознуться, а то мы щас тут начнем ...
    IGBT есть очень шустрые, а шустрота мосфитов завязана на драйверы полностью. Кроме того,
    для апологетов мосфетов должен напомнить об одном интереснейшем но омерзительнейшем их свойстве - STGB20NC60V - вот у него предельный ток всего то 20 А. А знаете что происходит, если
    попытаться пропустить через него ток больше? На нем начинает просто прямоугольником расти напряжение - так полевики входят в насыщение. И тут мы получаем дурно пахнущие неожиданности.
    Именно поэтому если летит один из параллели, вылетают сразу все, и вверху и внизу.)
    А вот у IGBT такого эффекта нет, он выдерживает ток в два-три раза больше заявленного.
    Особенно эффект насыщения у полевиков китайского происхождения сильно проявляется. Уж они режут кристалл ну прямо впритык, до миллиамперчика.
    А чтоб сжечь IGBT... надо очень захотеть и постараться. Все упирается в схемное решение и незачем спорить. Тем более, что даже в даташитах на драйвера для мосфитов, оригинальных даташитах!,
    есть такие дыры в логике работы и гонке фронтов, что глаза вываливаются.
    Все упирается в конечном итоге в схемотехнику и грамотность разработчика. Так что предлагаю
    пожать руки и вернуться к теме плохих электродов, ржавчине и что кто пробовал.
    Не всем интересны и понятны специальные разговоры...
     
    Строительность , 20.07.16
    #15 + Цитировать

Смотрите также: